據(jù)華工激光半導(dǎo)體產(chǎn)品總監(jiān)黃偉介紹，晶圓機(jī)械切割的熱影響和崩邊寬度約 20 微米，傳統(tǒng)激光在 10 微米左右，而經(jīng)過(guò)一年努力，華工科技的半導(dǎo)體晶圓切割技術(shù)成功實(shí)現(xiàn)升級(jí)，熱影響降為 0，崩邊尺寸降至 5 微米以內(nèi)，切割線寬可做到 10 微米以內(nèi)。

IT之家注:晶圓切割和芯片分離無(wú)論采取機(jī)械或激光方式，都會(huì)因物質(zhì)接觸和高速運(yùn)動(dòng)而產(chǎn)生熱影響和崩邊，從而影響芯片性能。

據(jù)透露，華工激光正在研發(fā)第三代半導(dǎo)體晶圓激光改質(zhì)切割設(shè)備，計(jì)劃今年 7 月推出新產(chǎn)品，同時(shí)也正在開(kāi)發(fā)我國(guó)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的第三代半導(dǎo)體晶圓激光退火設(shè)備。

廣告聲明:文內(nèi)含有的對(duì)外跳轉(zhuǎn)鏈接，用于傳遞更多信息，節(jié)省甄選時(shí)間，結(jié)果僅供參考，IT之家所有文章均包含本聲明。